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通过数值模拟研究了各层参数对极化调控的背入射异质结分离吸收倍增层型AlGaN基雪崩光电二极管（AP-Ds）性能的影响，并详细分析相关物理机制。计算结果表明：参数的优化有利于降低APDs的雪崩击穿电压，提高倍增因子。特别是对于P-GaN层AlGaN雪崩光电二极管，倍增因子增加可超过300％，这是由于该雪崩光电二极管的GaN／Al0.4Ga0.6N异质界面的强极化电荷调节了倍增层、中间插入层、吸收层的电场分布，增加了载流子的注入和倍增效率，同时还由于参数优化减小了倍增时的暗电流。