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提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法，分析了界面电荷对ＦＰ－ＪＴＥ终端结构的击穿电压的影响，结果表明击穿电压几乎与界面电荷浓度呈线性关系，场板可减少弱界面电荷对击穿电压的影响。
用边界元素法模拟FP—JTE终端结构
【摘 要】
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提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法，分析了界面电荷对ＦＰ－ＪＴＥ终端结构的击穿电压的影响，结果表明击穿电压几乎与界面电荷浓度呈线性关系，场板可减少弱界面电
【机 构】
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西安交通大学微电子工程系
【出 处】
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计算物理
【发表日期】
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1999年2期
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