论文部分内容阅读
英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TMSiC肖特基势垒二极管,壮大其SiC（碳化硅）产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品,如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起,改进了热特性,并使一个优值系数（QcxVf）与英飞凌前代SiC二极管相比降低了大约30%。