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一种半导体元件，在衬底上，沉积了包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜构成的栅电极、栅绝缘膜、α—Si：H(i)膜、沟道保护膜、α—Si：H(n)膜、包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜构成的源·漏电极、源·漏绝缘膜以及驱动电极。使用包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜，形成栅电极和源·漏电极并制造半导体元件。由此，可以提供与基材和绝缘层等的粘结强度大的半导体元件用导电性薄膜、