论文部分内容阅读
针对离子膜法制碱装置的特点，分析一次盐水，过滤盐水，精盐水对树脂，离子膜使用寿命，槽电压及电流效率的影响。
进槽盐水精制的三个关键
【摘 要】
：
针对离子膜法制碱装置的特点，分析一次盐水，过滤盐水，精盐水对树脂，离子膜使用寿命，槽电压及电流效率的影响。
【机 构】
：
齐化集团有限公司
【出 处】
：
经济技术协作信息
【发表日期】
：
2010年19期
其他文献
利用分子束外延技术，在ＧａＡｓ两个（１１３）晶面的脊形交接处制备了量子线。在低温ＰＬ谱上，观测到量子线的发光峰。通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效应和一维量子线在上述结构中的
介绍了广州市实时路况信息公共服务平台建设构想,阐述了该信息服务平台系统的基本组成,以提高人们对该系统的认识,进一步完善该平台的结构和功能,推广该实时路况信息公共服务
为促进我省农业产业化发展,尽快将资源优势形成产业优势,《民心》杂志通过走访、访谈、电话调查等方式,征集了部分基层涉农部门、农产品加工企业的意见建议,现整理如下,谨供
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光是导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算了少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法，并且由此算
本文报道了利用分子束外延技术在GaAs(211)B衬底上生长的p-Hg1-xCdxTe异质结，并通过Van der pauw(VdP)方法测量p-Hg1-xCdxTe外延薄膜在不同温度及磁场下Hall系数和电导率，采用
步内建模法，与有限差分法的区别是对时间步内的扩散过程进行了建模，从而达到对任意大时间步长的稳定性；对小时间步长，该法退化为通常的有限差分法，因而有自检性，与传输线矩阵法的区
利用高压光致发光方法在液氮温度下和０－３５ｋａｒ的压力范围内对不同层厚的ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格以及具有相近组份的Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料进行了系统的研究。测得Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料的Г谷和Ｘ谷的压力系数分别为８．６ｍｅＶ／ｋｂａｒ和－１．５７ｍｅＶ／ｋｂａｒ。在一定的
用X射线运动学的多层膜干涉理论，模拟计算了AIGaAs/GaAs超晶格X射线双晶衍射摇摆曲线，提出了一种具有整数分子层的界面过渡层理论模型，并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的
采用紧束缚方法对生长在ＳＩ（００１）衬底上的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金形变层的电子能带结构进行了计算，并与ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的能带结构进行了比较。计算结果表明，对大部分合金组分ｘ，形变层的导带底片在△轴上；当ｘ≥０。９后，导带底