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来源 :空间电子技术 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
在空间辐射环境下,CMOS集成电路易受到单粒子翻转和单粒子瞬态的影响,可导致器件功能异常。文章首先分析了几种典型的加固技术,并从触发器的电路结构和物理版图出发,提出了一
【作 者】
:
巨艇
王轩
张健
赖晓玲
周国昌
【机 构】
:
中国空间技术研究院西安分院
【出 处】
:
空间电子技术
【发表日期】
:
2016年3期
【关键词】
:
触发器
单粒子翻转
单粒子瞬态
抗辐射加固
Flip-Flop
Single Event Upset(SET)
Single Event Transient
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