单粒子瞬态相关论文
Flash型FPGA具有非易失性配置存储特点,在空间系统中得到广泛应用。本文选取了特征尺寸为130 nm的Flash型FPGA作为研究对象,开展了......
抗辐射集成电路在空间应用中起着保障系统正常运行不可或缺的作用,单粒子瞬态（Single Event Transient,SET）已经成为空间应用中发生......
延迟锁相环中的压控延迟线是对单粒子事件(single event,SE)最敏感的子电路之一,其主要包括偏置电路和压控延时单元.利用双指数电......
随着我国航天事业的蓬勃发展,空间辐射环境对半导体器件的辐照损伤也越来越难以忽视。一方面,随着集成电路工艺的发展,器件尺寸也......
验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性, 选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760......
为解决空间应用的延迟锁相环中压控延迟线易受单粒子扰动问题,提出了一种加固的压控延迟线结构。在分析了传统压控延时单元的单粒......
随着器件向纳米尺度急剧缩减,宇航集成电路对辐射粒子引起的单粒子瞬态效应敏感性急剧增加,脉冲宽度作为衡量单粒子瞬态效应的重要......
随着半导体技术的迅猛发展,数字电路对软错误变得越发敏感。近年来,我国在通信和航天等领域迅速崛起,对数字电路的可靠性和开销提......
基于静态随机存储器(SRAM)的现场可编程门阵列(FPGA)具有开发成本低、使用灵活、开发周期短等一系列优点,但是当高能粒子入射SRAM......
线性稳压器的作用是将有噪声的电源电压变成稳定的、精确的、与负载无关的电压,低温度系数、快速瞬态响应等是其最重要的技术指标......
众所周知,数字集成电路被广泛应用于包括航空航天领域在内的各行各业。但是随着半导体工艺的不断发展,器件尺寸的不断缩小,空间辐......
在太空环境中,天体向外辐射电磁波和高能粒子,形成宇宙射线。这些宇宙射线会对电子器件的稳定性和可靠性造成影响。随着集成电路的......
相同线性能量传输值(linear energy transfer,LET)、不同能量和种类的离子在径迹特征方面存在差异,导致这些离子在组合逻辑电路中......
本文研究了高、低电平输出偏置条件下双极电压比较器LM311的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)—单粒子瞬态(Single Event Tran......
随着器件特征尺寸的减小,单粒子效应成为影响CMOS工艺空间辐射环境可靠性的关键因素之一。未来航天和国防系统需要了解新型工艺中......
对130 nm工艺电荷泵锁相环(PLL,phase-locked loop)开展单粒子瞬态(SET,single event transient)的电路级仿真,根据输出端信号的最......
基于新型互补金属氧化物半导体有源像素传感器(Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor,CMOS APS)光电器件......
本文以NMOSFET晶体管为研究对象，基于TCAD仿真模拟软件对单粒子瞬态进行模拟分析，系统地研究了温度、线性能量传递(linerenergytrans......
随着半导体制造工艺和设计技术的不断进步，集成电路的特征尺寸不断缩小，目前集成电路设计已经进入纳米时代。纳米集成电路具有体积小......
太空环境中存在着多种辐射效应，其中单粒子效应是影响航天器电子系统正常运行最主要的可靠性问题之一。随着工艺尺寸的不断缩小，数字......
利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应.结果 表明,高电......
进入纳米尺度后,单粒子瞬态(SET)成为高能粒子入射VLSI产生的重要效应,准确、可靠的SET模拟对评估VLSI的可靠性有着重要的影响。以......
研究了互连线延时对单粒子瞬态脉冲效应的影响.研究发现,随着互连线长度的增加,瞬态脉冲首先被展宽,在一定距离后,脉冲宽度衰减为......
本文研究了高、低电平输出偏置条件下双极电压比较器LM311的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)—单粒子瞬态(Single Event Tran......
从系统验证和FPGA物理原型验证两个方面，分析了TMR结构的注错方式及其验证方法；通过在TMR结构中嵌入注错逻辑，并将所有组TMR寄存器的......
空间环境中大量带电粒子的辐射效应，特别是单粒子效应，严重威胁着空间CMOS器件的可靠性。文章首先分析了数字单粒子瞬态机理和加固技......
空间环境中存在的大量粒子,其辐射效应,特别是单粒子效应,严重威胁着空间CMOS器件的可靠性。文章首先分析了几种典型的数字单粒子......
在空间辐射环境下,CMOS集成电路易受到单粒子翻转和单粒子瞬态的影响,可导致器件功能异常。文章首先分析了几种典型的加固技术,并......
提出了一种快速、精确查找组合逻辑电路失效位置的方法。这种方法对高辐射电路的可靠性评估很有意义。这种方法是通过对电路失效原......
单粒子瞬态脉冲宽度是评价电子系统软错误率的重要参数之一.针对0.13μm、部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺下的反相器链,解析地计......
为了克服集成电路在辐射环境下所受的影响，在SMIC0．18μm工艺下，设计一款应用于LEON3处理器核中的加固的32X32位三端口寄存器堆．存储单......
工艺尺寸的降低导致组合电路对软错误的敏感性越发突出,由负偏置温度不稳定性(NBTI)效应引起的老化现象越发不容忽视.为了准确地评......
针对现有容忍单粒子效应的锁存器结构无法同时容忍单粒子翻转（SEU）、单粒子瞬态（SET）,以及未考虑电荷共享导致的双节点翻转（DNU）问题,提......
针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真......
针对NM0S场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象,参考65nm体硅CMOS的单粒子瞬态效应的试验数据,采用TCAD仿真手段,......
为了准确评估集成电路的软错误率（soft error rate，SER），文章提出一种新颖的电路SER评估方法。通过门级仿真获得逻辑门输出信号，将产生......
随着工艺尺寸的缩减,单粒子引发的软错误成为威胁电路可靠性的重要原因.基于SMIC 65 nm CMOS工艺,提出一种单粒子加固锁存器设计.......
随着器件特征尺寸的减小，利用独立电流源进行单粒子瞬态（Single Event Transient，SET）注入的方法与实际脉冲存在很大误差，器件/电路混合......
研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时......
基于65nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路，在重离子辐照下，对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出......
基于一款0.18μm工艺下常规设计带隙基准源,使用单粒子瞬态脉冲电流模型分析了常见CMOS两级放大器的单粒子敏感性。对于带隙基准源......
利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应，分析了激光入射器件类型......
超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态（single event transient,SET）脉冲注入与实验结果有很大误差.作者......
提出了一种能抵抗单粒子翻转的时域加固锁存器．这种锁存器是在一般的锁存器中加入了3个能抵抗单粒子瞬态的延迟单元．它能有效的抵抗......
随着工艺尺寸的不断缩小，由单粒子瞬态（SingleEventTransient，SET）效应引起的软错误已经成为影响宇航用深亚微米VLSI电路可靠性的主要......
文章主要写的是芯片存储电路单粒子效应概论,对单粒子效应增加稳定性的方法在芯片存储电路中产生的效应及解决方法进行了调研,外部......
随着半导体技术的飞速发展,芯片集成度和性能显著提高,然而电路的可靠性问题却日益突出,并且成为研究人员和芯片制造厂商广为关注......
利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应。结果表明,高电......
