Photovoltaic Properties of the Modified n-Si（111） Electrodes with Ethyl and Carboxyls

来源 :材料科学技术学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dulcimerqin

【摘要】

：

n-Si (111 ) 表面跟踪 -C2H5,-C2H4COOH,-C2H2COOH 被反应在 Si-H 之中准备到 ethyl-Grignard，甲基压克力吃了，丙酸乙酯，和 carboxyls 在 trifluoroacetic 酸的存在下面被形成。

【作者】

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Yuxue ZHAO Yabo WEI Wensheng Y

【机构】

：

StateKeyLaboratoryofChemicalResourceEngineering,CollegeofScience

【出处】

：

材料科学技术学报：英文版

【发表日期】

：

2008年2期

【关键词】

：

晶片照片电压光电流密度半导体电极 n-Si（111） wafer Photo-voltage Photocurrent density Semico

【基金项目】

：

Acknowledgements We are grateful to the Project of the National Natural Science Foundation of China（Grant No.50602004）,the support from Chinese Education for Back Student Abroad and the fund for Young

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n-Si (111 ) 表面跟踪 -C2H5,-C2H4COOH,-C2H2COOH 被反应在 Si-H 之中准备到 ethyl-Grignard，甲基压克力吃了，丙酸乙酯，和 carboxyls 在 trifluoroacetic 酸的存在下面被形成。合成 n-Si (lll ) 电极被扔磅 nanodots 获得，为这些电极的光电的特征在 I~-/I_3~- 氧化还原作用电解质被学习。到在太阳的照明下面的电极的相片电压和光电流密度的行为与一些 -C2H2COOH>-C2H4COOH>-H&

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