【摘 要】
：
采用激光加热基座生长法(LHPG)生长出直径1.1 mm、长数厘米的Ta2O5单晶。对所生长晶体进行了XRD表征，测量了该晶体在 [001] 和 [110] 方向上介电系数和介电损耗随温度的变化。Ta2O5晶体表现出很强的介电各向异性，室温、1 MHz频率下，[001] 方向介电系数为33.1，而[110]方向介电系数为231.9。对采用LHPG技术生长的Ta2O5单晶介电增强的原因进行了讨论。
【机 构】
：
北京工业大学激光工程研究院，北京100124美国宾夕法尼亚州立大学材料研究实验室,
论文部分内容阅读
采用激光加热基座生长法(LHPG)生长出直径1.1 mm、长数厘米的Ta2O5单晶。对所生长晶体进行了XRD表征，测量了该晶体在 [001] 和 [110] 方向上介电系数和介电损耗随温度的变化。Ta2O5晶体表现出很强的介电各向异性，室温、1 MHz频率下，[001] 方向介电系数为33.1，而[110]方向介电系数为231.9。对采用LHPG技术生长的Ta2O5单晶介电增强的原因进行了讨论。
其他文献
本文用角度扫描衰减全反射(ATR)方法系统地测量了用棱镜耦合的对称金属(Ag)包覆的介质(MgF_2)波导中TM_0模和TM_1模的传播常数及损耗与介质层厚度的关系,实验结果与理论计算相符。
采用密度矩阵等方法,对可饱和吸收体在激光腔内的调Q以及四波混频效应从理论上作出了统一的解释,阐述了这些效应的物理起源。本文给出的理论计算结果与实验值的一致性令人满意。
本文介绍30兆赫彩色电视模拟信号传输特性的实验，它采用1.3微米波长的半导体激光二极管，传输距离超过17公里，且具有40.3分贝的非权加信噪比。当使用1.3微米激光二极管和低损耗单模纤维时，传输距离超过30公里。
加热单模光纤可以增大光纤等效纤芯半径，进而增大单模光纤的模场。根据粒子扩散方程建立了加热扩芯光纤的理论模型，并对其模场特性进行了数值分析。对两种单模光纤进行了加热扩芯技术实验研究，将模场直径增大3倍左右。监测了加热扩芯带来的损耗，实验发现掺杂浓度更高的单模光纤加热扩芯损耗更小。
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜, 在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征, 发现氮化时间小于60min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且表面粗糙, 而氮化时间为60min及120min时获得的InN薄膜为单晶结构, 表面粗糙度有所下降。分析表明, 氮化时间对InN薄膜的晶体结构有很重要的影响。
以激光二极管阵列抽运Nd∶YAG内腔倍频激光器作为抽运源,实现了全固态准连续钛宝石激光器的高功率、高效率运转。当532 nm的抽运光为24 W时,得到了4.7 W输出功率及19.6%的高转换效率。为了获得钛宝石激光器理想的宽带输出,分别使用了两组膜片。第一组是750～850 nm,第二组是850～950 nm,每组膜片都有三种透过率,分别为5%,10%,15%。由于钛宝石荧光谱线的中心波长在795 nm附近,使用第一组膜片在透过率为10%的情况下获得了最大4.7 W的输出功率。使用第二组膜片也获得了3 W
针对单次扫描角度不同引起的夹杂检测误差较大、稳定性低等问题,提出了一种低密度粉末材料的多角度数字化X射线摄影(DR)扫描夹杂检测方法。首先对被测对象进行多角度DR检测;然后采用尺度不变特征变换(SIFT)特征匹配的方法寻找不同角度下夹杂的图像,自动选取不同角度下夹杂尺寸的最大值作为近似值;最后建立不同角度下夹杂面积和旋转角度的关系,并预测出夹杂的最大面积和旋转角度。实验结果表明,所提方法解决了计算
Novel highly nonlinear photonic crystal fibers (HN-PCFs) with flattened dispersion are proposed by omitting 19 air holes as the fiber core. The simulation results show that the high nonlinearity and the flattened dispersion can be achieved simultaneously
The critical technology for fabrication of the micro-bridge structure based on amorphous silicon (a-Si) films is studied. As a key technology in the fabrication of the micro-bridge structure, the sacrificial layer technology, including the preparation of
To improve the optical storage performance, Sn was doped into Ge_(2)Sb_(2)Te_(5) phase change thin films. The optical and thermal properties of Sn-doped Ge_(2)Sb_(2)Te_(5) film were investigated. The crystal structures of the as-sputtered and the annealed