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近年来．SiOx（X≤2）基电致发光材料发展迅速。着重讨论了5种具有实用潜力Si基LED包括离子掺杂、Si-130嵌SiO2、多孔硅、a-Si（O）：H以及MOS结构。并对其电致发光机理以及存在的问题如量子效率低、稳定性差进行了分析。认为电致发光原于SiOx（X≤2）中发光中心和界面缺陷处载流子的辐射复合。在激子碰撞和电子空穴复合发光体系中．提高载流子的平衡注入能够显著提高量子效率。在对比SiOx（X≤2）基LED研究的基础上。对下一步发展提出了建议。