【摘 要】
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研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted, PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator, SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown, TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲线、阈值电压、关态泄漏电流以及TDDB时间等电参数, 分析了γ射线辐照对PD-SOI MOS器件TDDB可靠性的影响。结果表明: 由于γ射线辐照在栅极氧化层中产生了带正电的氧化物陷
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011中国科学院大学,北京100049
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研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted, PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator, SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown, TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲线、阈值电压、关态泄漏电流以及TDDB时间等电参数, 分析了γ射线辐照对PD-SOI MOS器件TDDB可靠性的影响。结果表明: 由于γ射线辐照在栅极氧化层中产生了带正电的氧化物陷阱电荷, 影响了器件内部势垒的分布, 降低了电子跃迁的势垒高度, 导致了电子遂穿的正反馈作用增强, 从而缩短了器件栅氧化层经时击穿时间, 最终造成器件栅极氧化层的可靠性下降。
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