【摘 要】
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利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备在p型抛光硅片表面沉积SiNx：H薄膜,研究沉积温度对SiNx：H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响.然
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（2007AA052437）, 中国科学院知识创新工程重要方向项目（KGCX2-YW-382）资助~~
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利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备在p型抛光硅片表面沉积SiNx：H薄膜,研究沉积温度对SiNx：H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响.然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池,研究不同温度制备的薄膜对电池电性能的影响.测试结果表明：SiNx：H薄膜的折射率随着沉积温度的升高而变大,分布在1.926-2.231之间,这表明Si/N摩尔比随着沉积温度的增加而增加;当沉积温度增加时,薄膜中Si-H键和N-H键浓度呈现减小趋势,而Si-N
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