利用p-n＋结反向I-V特性计算p-GaN载流子浓度的方法

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：BalloonMan_Again

【摘要】

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提出了一种利用p-n＋结反向I-V特性随偏压变化的关系计算P—GaN载流子浓度的方法，研究发现，当p-n＋中的p-GaN层没有完全耗尽时，反向电流比较小，属于正常的p-n结电流特性，当反向偏压增

【作者】

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周梅李春燕赵德刚

【机构】

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中国农业大学理学院应用物理系,中国科学院半导体研究所

【出处】

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物理学报

【发表日期】

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2016年19期

【关键词】

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p-n+结反向 I-V特性 p-GaN载流子浓度 p-n＋ junction current-voltage characteristic curve c

【基金项目】

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国家自然科学基金（批准号：61474142,21403297和11474355）资助的课题.

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提出了一种利用p-n＋结反向I-V特性随偏压变化的关系计算P—GaN载流子浓度的方法，研究发现，当p-n＋中的p-GaN层没有完全耗尽时，反向电流比较小，属于正常的p-n结电流特性，当反向偏压增加到一定值时，p-GaN层就完全耗尽，p-n＋结特性就变成了肖特基结特性，反向电流显著增加．找到达到稳定反向电流的临界电压值，就可以计算出p-GaN的载流子浓度．模拟结果验证了这个思想，计算得到的p-GaN载流子浓度与设定值基本一致．

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