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据www．techbriefs．com网站报道，美国宇航局喷气推进实验室对一种nBn红外探测器的基本结构进行了改进。其中，n型半导体接触层将被具有适当掺杂梯度的n型Ⅲ-Ⅴ族合金半导体渐变层（三元或四元）所取代。所谓的“nBn”描述了改进前器件局部的基本结构：一个电子势垒层（“B”）处于两个n型层（“n”）之间，如图1中上半部分所示。