【摘 要】
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被美国导弹防御暑SBIR/STTR计划挑选研制天然GaN材料和器件的KymaTechnologies公司对其半绝缘GaN衬底进行了改进,并新添了一种非极性和半极性GaN衬底产品系列。上述新的半绝
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被美国导弹防御暑SBIR/STTR计划挑选研制天然GaN材料和器件的KymaTechnologies公司对其半绝缘GaN衬底进行了改进,并新添了一种非极性和半极性GaN衬底产品系列。上述新的半绝缘GaN衬底的特点是电阻率均匀性高,电阻率超过105Ωcm。该公司优化了其半绝缘GaN球生长工艺,以有效地消
KymaTechnologies, Inc., selected by the U.S. missile defense SBIR / STTR program to develop natural GaN materials and devices, has improved its semi-insulating GaN substrate and added a new family of non-polar and semi-polar GaN substrates. The new semi-insulating GaN substrate is characterized by high resistivity uniformity and resistivity in excess of 105 Ωcm. The company optimized its semi-insulating GaN ball growth process to effectively eliminate
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