论文部分内容阅读
P^+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化，在多晶硅栅内注入N^+的工艺可抑制硼扩散，制备出栅介质厚度为4.6nm的P^+S栅MOS电容，通过SIMS测试分析和I-V、C-V特性及电应力下击穿特性的测试，观察了多晶硅栅中注N^+工艺对栅介质性能的影响，实验结果表明：在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散，降低了场漏电和平带电压的漂移，改善了栅介质的击穿性能，但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大，需要折衷优化设计。