STUDY ON THE RELATION BETWEEN STRUCTURE AND HOT CARRIER EFFECT IMMUNITY FOR DEEP SUB—MICRON GROOVED

来源 :电子科学学刊：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lhnyzz520

【摘要】

：

Grooved gate structure Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) device is consideredas the most promising candidate used in deep and super-deep sub-micron region, for it

【作者】

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RenHongxia ZhangXiaoju HaoYue

【机构】

：

MicroelectronicsInstitute

【出处】

：

电子科学学刊：英文版

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

热载流子效应金属氧化物半导体结构参数场效应晶体管 Grooved gate NMOSFET's Hot carrier effect Deep

【基金项目】

：

the National Defense Preresearch Fund Program

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Grooved gate structure Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) device is consideredas the most promising candidate used in deep and super-deep sub-micron region, for it cansuppress hot carrier effect and short channel effect deeply. Based on the hydrodynamic ener

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