【摘 要】
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Opening the silicon oxide mask of a capacitor in dynamic random access memory is a critical process on a capacitive coupled plasma(CCP)etch tool.Three steps,dielectric anti-reflective coating(DARC)etch back,silicon oxide etch and strip,are contained.To ac
【机 构】
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AdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.China,ChangXinMemoryTechnologiesInc.
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Opening the silicon oxide mask of a capacitor in dynamic random access memory is a critical process on a capacitive coupled plasma(CCP)etch tool.Three steps,dielectric anti-reflective coating(DARC)etch back,silicon oxide etch and strip,are contained.To ac
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