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对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点，开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究，得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法，该方法制备出了的薄膜厚度为10μm，均匀性为±0．5μm，达到了厚膜SOI材料制备的指标要求，硅薄膜完好率达到70％以上，为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础．