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采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在400C沉积的样品中仅存在正交的GdSi2相.样品在氩气氛中350℃,30min退火处理后,GdSi2相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,GdSi2的晶体质量变得更好.