【摘 要】
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对IGBT的伏安特性,开关特性及闩锁效应进行了系统研究,结合实施工艺对IGBT版图及工艺进行了优化设计。合作开发了适合制作IGBT的异型厚外延材料。研制成功了10A/800V,20A/1050V的IGBT芯片,并给出了测试结果。
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对IGBT的伏安特性,开关特性及闩锁效应进行了系统研究,结合实施工艺对IGBT版图及工艺进行了优化设计。合作开发了适合制作IGBT的异型厚外延材料。研制成功了10A/800V,20A/1050V的IGBT芯片,并给出了测试结果。
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