980 nm High Power Semiconductor Laser Stacked Arrays with Non-absorbing Window

来源 :材料科学技术学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zjp_22

【摘要】

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980 nm InGaAs/GaAs 分开的监禁 heterostructure ( SCH )拉紧 quantumwell ( QW )有非吸收的方面的激光被与五层的薄没有氧的铜板结构使用热 treatment.MicroChannelcoole

【作者】

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Xin GAO Baoxue BO Yi QU Jing Z

【机构】

：

NationalKeyLabonHighPowerSemiconductorLasers

【出处】

：

材料科学技术学报：英文版

【发表日期】

：

2007年1期

【关键词】

：

大功率半导体激光器叠层阵裂非吸收窗微通道致冷器应变量子阱 High power Microchannel coolers Stacked array

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980 nm InGaAs/GaAs 分开的监禁 heterostructure ( SCH )拉紧 quantumwell ( QW )有非吸收的方面的激光被与五层的薄没有氧的铜板结构使用热 treatment.MicroChannelcoolers 制作被设计并且 fabricatedthrough 在 200 W for5酒吧的产量电源穿的最高的 CW (连续波浪)包装了由的氢 ambient.The 的热结合 microchannel 冷却器被介绍。

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