用扫描俄歇微探针研究Au—Ag/Si体系异质界面电迁移

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应用自建的超高真空原位装置及扫描俄歇微探针技术。研究了Au-Ag/Si体系的表面电迁移现象。观测到清洁Si表面上的Au/Ag/Si和Ag/Au/Si复层薄膜在直流电场作用下呈现明显的两相分离,Au,Ag分别向着外加电场拨乱反正 和负极方向快速迁扩展,总的迁移速率对Au/Ag/Si约为0.63μm/s而对Ag/Au/Si为0.37μms。实验结果表明,复合膜的结构,即其形成次序虽不影响Au,Ag各自
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