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一、主要技术内容rnCMOS硅外延技术主要来源于“九五”国家重点科技攻关计划项目“亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延硅材料”,项目编号为:97-763-01-01.该项目于2000年10月通过了中国科学院组织的科技成果鉴定,是由中国科学院半导体所与中国科学院微电子中心合作攻关完成的.rn
CMOS硅外延技术与硅外延片
【摘 要】
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一、主要技术内容rnCMOS硅外延技术主要来源于“九五”国家重点科技攻关计划项目“亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延硅材料”,项目编号为:97-763-01-01.该项目于2000年10
【出 处】
：
中国科技成果
【发表日期】
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2002年3期
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