【摘 要】
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针对EMVA 1288标准测试辐照后互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器的重要性能参数（光子转移曲线和转换增益）适用范围受限的问题,提出了针对辐照后CMOS图像传感器光子转移曲线和
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所材料物理与化学研究室
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针对EMVA 1288标准测试辐照后互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器的重要性能参数（光子转移曲线和转换增益）适用范围受限的问题,提出了针对辐照后CMOS图像传感器光子转移曲线和转换增益的改进的测试方法。该方法通过调整测试条件,限制辐照后CMOS图像传感器的暗电流和暗电流非均匀性噪声,求解出辐照后正确的器件性能参数,从而直观地得知辐照所引起的器件性能变化。利用该方法进行了实验测试,结果显示：辐照导致转换增益比辐照前退化了7.82%。依据此结果分析了辐照导致光子转移曲线和转换增益退化的机理,认为转换
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