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提出了一种新的硅太阳能电池背场结构及其形成方法,在硅片背面先制备一层氮化硅膜,然后再印刷背面铝电极,通过钝化层和铝电极浆料共烧结制备硅太阳能电池背场结构。在常规铝浆中添加易于同氮化硅反应的高活性玻璃粉,对比了钝化层厚度、玻璃粉种类和含量对氮化硅层的烧蚀效果以及对背电极硅片间接触电阻的影响。当铝浆中高活性玻璃粉添加量为质量分数4%,氮化硅厚度10 nm时,比常规铝浆在无钝化膜的硅片上制备的电池最高效率高出约0.26%。