【摘 要】
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对RF-PECVD技术沉积p-nc-Si:H薄膜材料进行了研究.随着功率的增大材料的晶化率增大.B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,
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对RF-PECVD技术沉积p-nc-Si:H薄膜材料进行了研究.随着功率的增大材料的晶化率增大.B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大.用比较高沉积功率和少量B的方法获得了高电导率、宽光学带隙和高晶化率的P型纳米Si薄膜材料(σ＝0.7 S/cm,Eopt＞2.0 eV).将这种材料应用于微晶硅(μc-Si)薄膜太阳能电池中,电池结构为:glass/SnO2/ZnO/p-nc-Si:H/I-μC-Si:H/n-Si:H.首次获得效率η＝4.2 %的μC-Si薄膜太阳能电池(Voc＝0.399 V,Jsc＝20.56 mA/cm2,FF＝51.6 %).
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