【摘 要】
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应用组合材料芯片技术,以离子束溅射法在低碳钢基片上制备了不同Ti掺杂量的Zn-Al-Ti薄膜（Al和Zn质量分数分别为55%和45%）样品阵列.沉积得到的多层薄膜经低温扩散和高温晶化形成
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中国科学院研究生院
【基金项目】
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上海市科学技术委员会科技攻关项目055211005及上海硅酸盐研究所创新项目SCX200707资助
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应用组合材料芯片技术,以离子束溅射法在低碳钢基片上制备了不同Ti掺杂量的Zn-Al-Ti薄膜（Al和Zn质量分数分别为55%和45%）样品阵列.沉积得到的多层薄膜经低温扩散和高温晶化形成合金薄膜.以电化学方法测定合金薄膜在浓度（质量分数）为3.5%的中性NaCl水溶液中的耐蚀性能,并进一步研究了优选出的组分的耐蚀性.结果表明,Ti的适量掺杂可使合金薄膜的耐蚀性能明显提高.其中,Ti的质量分数在6%左右时耐蚀性能最佳.采用XRD及SEM对6%Ti的合金薄膜的相结构和表面形貌进行了表征,并与未掺杂Ti的薄膜进
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