【摘 要】
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本文建立了MLS隧道器件的电流-电压特性的数值模拟程序,提出了一种新的计算方法:龙格-库塔数值积分与边界条件的预估-校正处理相结合的算法.利用建立的程序模拟计算了两种不
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,法国国家科学研究中心格勒诺布尔半导体器件物理实验室,法国国家科学研究中心格勒诺布尔半导体器件物理实验室 北京
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本文建立了MLS隧道器件的电流-电压特性的数值模拟程序,提出了一种新的计算方法:龙格-库塔数值积分与边界条件的预估-校正处理相结合的算法.利用建立的程序模拟计算了两种不同氧化层厚度的MIS隧道器件的电流-电压特性.对TiW/Si肖特基二极管,考虑了界面态的静态和动态影响,模拟特性和实验结果相比,令人满意的一致.
In this paper, a numerical simulation program of current-voltage characteristics of MLS tunneling device is proposed, and a new calculation method is proposed: a combination of Runge-Kutta numerical integration and boundary condition prediction-correction processing, The current-voltage characteristics of two kinds of MIS tunneling devices with different oxide thicknesses are simulated and calculated.For the TiW / Si Schottky diode, the static and dynamic effects of interface states are considered, and the simulation results are satisfactory compared with the experimental results Consistent.
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