论文部分内容阅读
研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性,并与InGaAs单量子阱材料进行了对比.发现InGaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性.同时发现随着温度升高,在140~200K温度范围内,InGaAs量子点增益峰值首先增大,当温度超过200K后开始减小.对这种增益特性的产生机制进行了分析.增益曲线峰值波长随温度升高单调地向长波长方向移动,与量子阱材料相比具有更好的温度稳定性.