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采用磁控溅射方法在Si片沉积了Ti-50．9at％Ni形状记忆合金薄膜，并将薄膜分别在不同温度下进行退火．利用示差扫描量热方法（DSC）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）研究了薄膜退火前后形貌、相变特征及应力随退火温度的变化．实验结果表明：溅射态薄膜为非晶态，其晶化温度范围为430℃-535℃，晶化同时伴随着Ti3Ni4相的析出；退火后的薄膜随着退火温度的升高，Rs、Af、Ms均呈上升趋势．薄膜的残余应力随着退火温度的增加而逐渐减少．