溅射功率变更对In-Sn-Zn-O TFT器件性能的影响研究

来源 :电视技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tian_mizhen

【摘要】

：

以硅作为衬底,以采用不同直流（DC）磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管（TFTs）器件.在溅射功率从80 W变化到160 W的过程中,对ITZO TFTs的电气性能和稳定性进行

【作者】

：

梁永烨杜红棉裴东兴刘帆焦耀晗

【机构】

：

中北大学电子测试技术国家重点实验室,中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,成均馆大学情报与通讯学院

【出处】

：

电视技术

【发表日期】

：

2015年9期

【关键词】

：

ITZO TFTS 直流磁控溅射功率载流子浓度接触面缺陷密度 ITZO TFTs DC magnetron sputtering power carri

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以硅作为衬底,以采用不同直流（DC）磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管（TFTs）器件.在溅射功率从80 W变化到160 W的过程中,对ITZO TFTs的电气性能和稳定性进行了研究.当溅射功率为80 W时,器件具有最低的有源层载流子浓度（Nd）2.58×10^17cm-3以及有源层与栅极绝缘层接触面最小的缺陷阱密度（Nt）5.677×10^11cm-2,器件显示出优秀的电气性能.例如：0.156 V/dec的亚阈值摆幅（SS）、-3.596 V的开启电压（VON

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