【摘 要】
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分别以SiO2微粉和Si3N4为硅源，炭黑为碳源，氧化硼为催化剂，采用碳热还原法在1500℃氩气气氛下合成了SiC晶须。通过透射电镜和扫描电镜对所合成SiC晶须的形貌和晶体结构特征进行
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分别以SiO2微粉和Si3N4为硅源，炭黑为碳源，氧化硼为催化剂，采用碳热还原法在1500℃氩气气氛下合成了SiC晶须。通过透射电镜和扫描电镜对所合成SiC晶须的形貌和晶体结构特征进行了分析。结果表明，采用两种硅源所合成的晶须均为B—SiC单晶，晶须的生长面为（111）面，生长方向为[111]方向。两种硅源所合成的晶须形貌特点存在较大差别，表明其合成SiC晶须的生长机理不同，VLS生长和螺旋位错的延伸生长可以分别用来解释以SiO2微粉为硅源和以Si3N4为硅源合成的晶须在形貌结构特征上的差别。
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