Effect of Growth Time on Properties of GaN Micro-grains Grown by Hot-wall CVD Method

来源 :半导体光子学与技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shan12

【摘要】

：

GaN microcrystalline grains were grown by hot-wall chemical vapor deposition on Si (111)substrate. These grains with diameters of 2- 4 μm were detected by scan

【作者】

：

LIZhong WEIQin-qin LILing XUEC

【机构】

：

SchoolofPhys.andElectron.,SchoolofPhys.andElectron.

【出处】

：

半导体光子学与技术：英文版

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

GAN 微晶热壁CVD 生长时间 Hot-wall chemical vapor deposition GaN Micro-grains

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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GaN microcrystalline grains were grown by hot-wall chemical vapor deposition on Si (111)substrate. These grains with diameters of 2- 4 μm were detected by scanning electron microscopy. X- ray diffraction,Fourier transformation infrared transmission spectr

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