论文部分内容阅读
对深亚微米器件中热载流子效应（HCE）进行了研究，还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系，在分析热载流子失效机理的基础上，讨论了热载流子效应对电路性能的影响，提出影响晶体管热载流子效应的因素有：晶体管的几何尺寸、开关频率、负荷电容、输入速率及晶体管在电路中的位置、通过对这些失效因素的研究并通过一定的再设计手段，可以养活热载流子效应导致的器件退化。