【摘 要】
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美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370 nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计, 面积为160 μm×160μm,以此装置
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美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370 nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计, 面积为160 μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5 MHz,量子效率在270 nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。
US researchers have developed a silicon carbide based avalanche photodiode sensitive to the UV range of 250-370 nm. This tube can be used for single photon counting at room temperature. The device is based on a 4H-SiC chip design and has an area of 160 μm × 160 μm. This device was used with an ultraviolet (UV) LED. The photon count rate was 4.5 MHz and the quantum efficiency was the highest at 270 nm. Developed by Rutger University, Goddard Space Center and Union Silicon Carbide Corporation.
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