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设计了一种基于CMOS工艺的带隙基准电压源。该基准电压源采用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流，采用共源共栅电流源作为负载，具有结构简单、低温漂、高电源抑制比特性。仿真结果表明，在Vdd=5V时，该电路具有6.5×10^-6V/℃的温度特性和52dB的电源抑制比。经流片测试，其性能良好，已应用到光通信用跨阻放大器中。