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本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素，包括：(1)俄歇复合几率的大小；(2)有源区的载流子泄漏；(3)价带间光吸收；(4)激光器有源区材料的禁带宽度Eg。并分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系。
影响量子阱激光器热特性的主要因素
【摘 要】
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本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素，包括：(1)俄歇复合几率的大小；(2)有源区的载流子泄漏；(3)价带间光吸收；(4)激光器有源区材料的禁带宽度Eg。并分析了这四个因素
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
【出 处】
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长春理工大学学报
【发表日期】
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2004年4期
【基金项目】
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高功率半导体国家重点实验室项目 (5 14 5 60 10 10 3ZS3 60 1)
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