【摘 要】
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用脉冲激光淀积法成功地在p-Si底片上制备了高c轴取向的Bi3.20Nd0.80Ti3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性.研究表明,用钕Nd替代Bi的Bi3.20Nd0.80Ti3O12薄膜具有较
【机 构】
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华中科技大学电子系,广西大学计算机与电子信息学院
【基金项目】
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广西大学校科研和教改项目，国家重点实验室基金
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用脉冲激光淀积法成功地在p-Si底片上制备了高c轴取向的Bi3.20Nd0.80Ti3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性.研究表明,用钕Nd替代Bi的Bi3.20Nd0.80Ti3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10 V,测试频率为1 MHz下,其剩余极化(Pr)及矫顽场(Ec)分别达到27 μC/cm2和70 kV/cm.更为重要的是,Au/Bi3.20Nd0.80Ti3O12/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到1010后仍表现出较好的抗疲劳特性.
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