剩余极化相关论文
该文基于前人的实验理论,率先研究了锆钛比为94/6的锆钛酸铅薄膜的性能.实验中薄膜样品的结构为Pt/PZT/YBCO/LAO,LAO为基底材料,Pt......
本文对垂直模式冲击波压缩铁电陶瓷电响应的理论有所改进。我们不仅考虑铁电介质的电介弛豫和电导率弛豫,而且还计及冲击波阵面在......
利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜......
采用脉冲准分子激光沉积法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，发现存在一个最佳沉积衬底温度约为４５０℃。在该温度下沉积的ＳＢＴ薄膜具有较饱和的......
用 Sol- Gel方法研制了 PL T[(Pb0 .83 L a0 .17) Ti O3 ]铁电薄膜 ,结合非挥发性铁电存储器对铁电电容的要求 ,研究了 Au/ PL T/ ......
应用剩余极化的概念和Mori布朗运动方程,得介电常数的计算公式。应用于H_2O-LiCl、H_2O-NaCl、CH_3OH-LiCl,CH_3OH-NaCl、CH_3OH-N......
近年来，对铁电材料的光伏效应研究越来越热。一般认为，由铁电体的剩余极化诱导出的退极化场承担分离光生载流子的角色，因而，相比传......
本文着重研究了气氛对薄膜结晶性能、铁电性能的影响.结果发现,气体浓度对材料的结晶性以及铁电性能都有明显的影响.当Ar/O_2(mol)......
用组合系综说明了慢效应中的剩余极化．从时域介电谱的慢分量可计算出驻极体中冷冻极化的理论曲线，其结果和实验一致．慢极化属于非马尔......
主要讨论了铁电薄膜用于研制铁电存贮器的进展情况，探讨了目前围绕电极、空间电荷、畴钉扎、应力和微结构等几个方面对铁电薄膜存贮......
制成了PbTiO_3铁电薄膜门FET,它是作为在室温下工作和在宽的频谱范围内具有红外灵敏度的红外探测器之用。在铂箔上用RF溅射法沉积P......
本文研究PZT95/5型多晶固溶体在两个菱方铁电相间相变时的热释电性质。制备了掺Nb_2O_5和Sb_2O_3的两类Pb(Zr_(1-x)Ti_x) O_3(1.5......
利用溶胶-凝胶法在LaNiO_3/SiO_2/Si衬底上制备了0.7BiFeO_3-0.3PbTiO_3(BFPT7030)薄膜,利用快速退火方式将薄膜分别在空气、氧气......
本文采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法制各了0.68BiFeO3-0.32PbTiO3(BFPT)薄膜。XRD测试结果表明BFPT具有良好的结晶性能。600℃退火10 ......
用高温处理PZT 陶瓷粉末与PVDF 制成压电复合材料,研究了高温处理PZT 对复合材料的微观结构、极化特性、压电和介电性能的影响. 结......
从理论上证明了铁电压电陶瓷的不同极化程度下的剩余极化Ｐ〈’１〉〈，１〉与相应的纵向压电应变常数Ｐ〈’１〉〈，３３〉之间存在着线性关系，并与一......
利用超薄SiO作缓冲层，在Si(100)衬底上成功地制备了高度c取向的PZT薄膜，SiO的厚度对PZT薄膜的单相单一取向性有重要影响。所得PZT薄......
采用Sol-Gel法,在Pt/TiO/Si基片上制备了不参掺Mn量的PLZT铁电薄膜.分析了薄膜的晶相结构,研究了Mn掺杂对PLZT铁电薄膜的介电性能......
Bi1-xSmxFeO3 films with x= 0, 0.03, 0.05, 0.07 and 0.10 are prepared on LaNiO3/Si(100) substrates by the sol-gel method.......
由于铋系层状结构材料具有良好的抗疲劳性能而成为目前铁电存储器应用研究的主要材料之一，这类材料研究最多的是SrBi2Ta2O9、Bi4-xL......
铁电材料由于其良好的介电、压电和光学性能而被广泛应用在各种电子以及光学器件上。BaTiO3及各种掺杂改性后的BaTiO3固溶体材料一......
本论文着重于层状钙钛矿结构铁电材料SrBi4Ti4O15(SBTi)的B位和AB位共同掺杂改性研究。对它们陶瓷样品的微结构、铁电、介电和压电......
近年来，为了研制出在室温以上同时具有良好铁电、铁磁性的单相材料，人们做了大量研究，其中铋系层状钙钛矿单相多铁材料由于其良好的铁......
用sol-gel法先后分别在ITO/石英衬底上制备了Ti O2缓冲层和Bi4Ti3O12铁电薄膜层。研究了Ti O2缓冲层对BIT铁电薄膜结构和铁电性能......
采用Sol-gel方法在生长有LNO3的Si(100)衬底上制备了掺Mn的PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜(PMZT)。PMZT薄膜具有优良的铁电性。在外加电场......
采用0.05mol/L的前驱体溶液,利用溶胶-凝胶法成功制备了室温下具有优良铁电性质的Ba0.8Sr-0.2TiO-3 (BST)薄膜.X射线衍射分析表明,......
用传统的固相烧结工艺,制备了钼掺杂铁电陶瓷样品SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-2x/3Ti4-xMoxO15(x=0.00,0.003,0.012,0.03,0.06......
期刊
掺杂可以改变锆钛酸铅系铁电陶瓷的性能.着重对掺La3+、Mn2+对PZT陶瓷结构与性能的影响作了一些研究和探讨,通过对掺两种添加物的......
测量了使用溶胶-凝胶工艺制备的(Bi0.5 Na0.5)1-xBax TiO3(x=0.00,0.04,0.06,0.08,0.12系陶瓷的介电、压电、铁电和热释电性能.由......
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了La掺杂的PbTiO3铁电薄膜(PLT),X-射线衍射测量表明PLT薄膜呈高度(100)择优取向,原子......
用脉冲激光淀积法成功地在p-Si底片上制备了高c轴取向的Bi3.20Nd0.80Ti3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性.研究表明,用......
采用传统的固相烧结工艺制备出Bi5 Fe0.7Ni0.3Ti3O15 (BFNT)多铁陶瓷样品,研究镍离子基团的植入对材料的微观结构、磁性能和电性能......
研究了铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1)陶瓷的介电和铁电特性.研究发现随着x值的增大,材料的居里点由540℃降到30℃左右,......
用溶胶-凝胶工艺成功制备出Bi0.5Na0.5TiO3纳米微粉,并利用此微粉烧结出高致密度的Bi0.5Na0.5TiO3陶瓷.这种新工艺制备的Bi0.5Na0.......
用传统的固相烧结工艺,制备了铌掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-x/3Ti4-xNbxO15(SBTN-x),Nb掺杂量x=0.00,0.003,0.012,0......
适量的钒掺杂,大大增加了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电材料的剩余极化2Pr,并改善了材料的耐压性能.SBTi拉曼模的位置,基本不受V掺杂的影......
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了La掺杂的PbTiO3铁电薄膜(PLT),X-射线衍射测量表明PLT薄膜呈高度(100)择优取向,原子......
用脉冲激光淀积法成功地在p-Si底片上制备了高c轴取向的Bi3.20Nd0.80Ti3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性.研究表明,用......
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格.利用高能电子......
本文通过对非线性电介质中静电场能量的分析，导出了其能量密度公式W′=1/2ε0E^12“，并指出静电场的能量密度公式W=1/2D（ω，-）·E（ω......
Sr1-xLa2x／3Bi6TiO15（SLBT-x,x=0．00～O．75）陶瓷居里温度（tc）随掺杂量的增加而降低，显示掺杂导致晶格畸变减小，这是由于La^3＋取代Sr^2＋位而产生......
采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.000～1.000,0.000～0.096的La,V掺杂Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷.X射线衍射结果显示,La,V对Sr2Bi......
层状钙钛矿铁电体材料Bi4-xNdxTi3O12 (x=0.0～0.9)陶瓷样品适量Nd掺杂可提高Bi4Ti3O12 (BIT)的铁电性能. 当掺杂量为0.6时,样品的剩......
采用多次球磨、预合成、真空干燥的工艺，制备了(0014)择优取向的Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷样品。样品的c取向方向与样品成型时所加压力的......
通过研究发现,利用激光分子束外延技术生长的LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜具有良好的电学性能,其剩余极化可达到25μc/cm2.性能决定于......
