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设计了低温度系数、高电源抑制比BiCMOS带隙基准电压发生器电路．综合了带隙电压的双极型带隙基准电路和与电源电压无关的电流镜的优点．电流镜用作运放，它的输出作为驱动的同时还作为带隙基准电路的偏置电路．使用0．6μm双层多晶硅n-well BiCMOS工艺模型，利用Spectre工具对其仿真。结果显示当温度和电源电压变化范围分别为-45～85℃和4．5～5．5V时，输出基准电压变化1mV和0．6mV；温度系数为16×10^-5／℃；低频电源抑制比达到75dB．电路在5V电源电压下工作电流小于25μ