【摘 要】
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研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon on insulator)器件总剂量效应的影响.在 TG偏置下,辐照 130nmPD(部分耗尽,partiallydepleted)SOINMOSFET(N型金属氧化物
【机 构】
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中国科学院大学,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室/中国科学院新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.U1532261,No.11605282,No.11505282,No.11605283),西部之光(No.2015XBQNB15).
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研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon on insulator)器件总剂量效应的影响.在 TG偏置下,辐照 130nmPD(部分耗尽,partiallydepleted)SOINMOSFET(N型金属氧化物半导体场效应晶体管,n typeMet al Oxide SemiconductorField EffectTransistor)器件,监测辐照前后在不同体偏压下器件的电学参数.短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.在辐射一定剂量后,部分耗尽
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