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文章采用介电常数低的纳米Si02粉体与SiC微粉通过机械球磨的方式进行混合，制得SiO2包覆SiC的复合粉体，经干压成型，在流动的高纯氩气保护下，常压烧结出结构均匀、介电性能良好的SiC／SiO2复合材料。通过EDS、XRD、SEM等手段进行表征，分析了原料配比、烧结温度、密度及显微结构等对材料介电性能的影响。结果表明：烧结温度低于1000℃时，随着温度升高，材料的烧结密度降低，介电常数降低；温度高于1000℃时，材料的密度和介电常数随温度升高而增加，介电损耗则随温度升高一直呈递减趋势；当烧结温度为110