2700V4H—SiC结势垒肖特基二极管

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a0701302
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在76.2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2700V。正向开启电压为0.8V,在VF=2V时正向电流密度122A/cm^2,比导通电阻Ron=8.8mΩ·cm^2。得到肖特基接触势垒qФB=1.24eV,理想因子n=1。
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