金属有机化合物化学气相淀积相关论文
使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温Ga......
针对MOCVD系统工艺及控制要求,设计了MOCVD控制系统.采用PLC作为核心控制器,负责各类输入输出信号的控制,进行数据处理,控制半导体......
为解决金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）设备温度控制的非线性、时变性以及大滞后等问题，给出了一种用模糊控制和预测控制相结合的......
GaN基宽禁带半导体是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的材料,深受国际上的关注。因此,GaN和AlxGa,-xN/GaN......
由于AlN材料和GaN材料之间2.78eV的导带断续以及III族氮化物材料所具有的较强的极化效应,当AlGaN和GaN形成异质结材料时,在其界面......
InGaAs/GaAs失配异质结材料有较高的电子迁移率、材料稳定性好，并且带隙在一定范围内(0.36-1.42eV)可调等优点，在光电子器件领域有着......
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