探测器引出端新结构

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探测器引出端新结构EGto光电子公司宣称他们改进了HgCdTe红外探测器的引出线结构,使器件的可靠性提高。图正为新老两种结构示意图,下面为原有结构,直接在HgCdTe上焊接,焊点不结实而且易国微断裂而发生故障;上面为改进后的结构,焊点远离HgCdTe... New Detector Terminal Structure EGto Optoelectronics claims that they have improved the lead structure of the HgCdTe IR detector and made the device more reliable. Figure is the new and old two kinds of structure diagram, the following is the original structure, directly on the HgCdTe on the welding, the solder joint is not strong and Yi Guo micro-faults and failure; above for the improved structure, the solder joint away from the HgCdTe ...
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