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在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上，采取一种抗闩锁方法，即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究，利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较，并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级，在实际的闩锁静态测试中得到验证。
功率集成电路中一种抗闩锁方法研究
【摘 要】
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在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上，采取一种抗闩锁方法，即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究，利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟
【机 构】
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东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2006年6期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（863）资助项目（2004AA1Z1060）
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