闩锁相关论文
沟槽栅FS IGBT（Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor）凭借导通饱和压降低、沟道密度高、栅极易驱动、正向阻断电压高等优......
传统低压触发可控硅(LVTSCR)维持电压过低,应用于片上ESD防护时存在闩锁风险.文章提出了 一种嵌入分流路径的LVTSCR.基于0.18 μm ......
针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾,设计了 一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构.相比于常......
基于0.18 μm BCD工艺,提出了一种外部可调、带限流的折返式LDO过流保护电路.该电路同时具有限流和折返功能.限流部分通过电流镜构......
常规功率器件测试系统脉宽过大,进行闩锁测试会出现热烧毁现象,而大功率传输线脉冲发生器(TLP)脉宽短且电流大,能够诱发闩锁且不发......
高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)存在寄生晶闸管,易发生闩锁失效。对p~+深阱的参数进行了优化,制备了3 300 V p~+深阱平面栅非穿通IGBT......
智能功率集成电路(SmartPowerIC。，SPIC)将功率MOS器件与控制和保护电路单片集成，不仅提高了系统的可靠性，而且减少了系统的体积、重......
车型：配置3.0L 发动机（LF1）。 VIN：LSGUA83B3BE××××××。 行驶里程：143528km。 故障现象：客户来店报修项目为电动中门不工......
与3次绕组和RCD钳位等常见变压器磁芯复位技术相比,双开关正激技术不需要特殊的复位电路,更易于实现,且保证可靠的磁芯复位,适用的......
半永磁材料是具有一定矫顽力和尽可能高的剩余磁通以及一定方形比(Br/Bs)的材料.多用于闩锁继电器、磁滞式马达、半固定记忆元件等......
针对5V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR).相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高......
可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护.由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题.改......
本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管 (CI LIGBT) ,可有效控制高压下阳极区空穴注入 ,提高器件的抗闩锁性能 .数值模拟与......
期刊
介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响.利......
本文从ＩＧＢＴ发生闩锁的机理出发，推导出ＩＧＢＴ结构中两个寄生双极晶体管的共基极电流放大系数 及ＮＰＮ管基区横向电阻随电流密度变化的解析模型，并据......
本文提出并实现了一种具有反压保护功能的微功耗LDO.一方面采用新型自适应栅衬偏置技术,使导通管的栅/衬极在输入输出反压状态下自......
针对CMOS器件的闩锁现象,结合三种实际的应用电路分析了电路系统中闩锁的几种典型表现形式及其解决的方法,讨论了电路设计时避免闩......
据球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出两款防闩锁型开关ADG5412和ADG5413，能够保证工作电压高达±20V的高压工业应......
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N．V．）推出无偏置电压I^2C总线缓冲器PCA9525和PCA9605，其允许系统设计师隔离电容并与其他总线缓冲器......
分析和解决了开关电源TPS54350在小负载应用电路下的失效问题。通过对失效器件进行外观镜检、I-V曲线测试、X线检查，对典型应用电路......
分析了两种过流保护方法的功能及优缺点，研究并提出了一种可应用于集成稳压器中改善闩锁效应的foldback过流保护电路。通过在一般fo......
在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上，采取一种抗闩锁方法，即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的......
测试了不同静态栅极触发电压（输入电压）下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压（即将闩锁时的输出电压）,发现静态栅极触发CMOS闩......
Diodes公司（DiodesIncorporated）新推出的AH37xx高压霍尔效应闩锁集成电路系列提供不同工作磁场阈值，能满足多种应用的电机控制、旋转......
本文分析了由门级组成的两类锁存器，并证明了传统的维持阻塞触发器即为由其中单轨输入锁存器设计的主从触发器，由于两个由时种控制与......
体硅互补型金属-氧化物半导体集成电路含有寄生4层可控硅结构，当工作在瞬时γ射线脉冲辐射环境下时易发生闩锁，导致电路失效，甚至烧毁......
对在多级电源系统可靠性设计中遇到的几个关于闩锁的问题进行了研究，针对闩锁产生的原因进行分析，并提出解决方法。......
ADI最近推出ADG5206和ADG5207两款多路复用器，这两款器件能够在工作电压高达±22V的高压工业应用中确保无闩锁现象。闩锁是指一......
本文从存贮功能的数学表述出发，分别就模代数和格代数等两种情况系统地研究了三值闩锁的各种结构。此外，根据对闩锁输入待存贮信号的......
采用软件仿真一系列的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)可控硅(Silicon controlle......
应用于ESD防护的低压触发SCR组件，当受到电路噪声干扰时，极易造成SCR组件的误导通，进而影响到电路的正常功能，严重时可以产生持续的闩......
本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象,在＂强光一号＂加速器上,对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进......
采用瞬时辐射敏感开关可避免电子器件在瞬时电离辐射环境下发生闩锁而失效或损毁.性能较好的开关须满足灵敏度高、抗辐射、抗干扰......
期刊
对超深亚微米存储器（32 k SRAM）激光辐照下的剂量率效应进行了初步研究，实验测量了SRAM激光辐照下的效应规律，比较了零时SRAM的状态（读......
静态随机存储器(SRAM)的单粒子微闩锁(mSEL)现象可能引起星载计算机运行崩溃,威胁整星运行安全.传统的闩锁电流检测方法难以发现mS......
对于半导体供应商而占,要对汽车应用的新JC设计进行合格验证,通过闩锁免疫性测试是一项挑战。芯片设计人员可能需要在裸片上增加关......
绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有寄生晶闸管。当电流密度超过某个特定的电流密度时可能会发生闭锁。为了增加闩锁电流密度，提出了一种在P......
本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅（PDSOI）NMOS、CMOS结构的闩锁（latch）特性。提出了一种体电极触发诱发PDSOINMOS器件闩锁效应维持电压......
随着空间技术的发展，空间通信将变得越来越重要，基于SRAM的FPGA是空间通信设备中的首选器件。而CMOS晶体管是实现FPGA的主要微电子器......
电子注入增强型栅极晶体管IEGT (Injection Enhancement Gate Transistor)是由IGBT发展而来的。1994年由日本东芝公司开发成功。由......
介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响。......
期刊
大规模集成电路的飞速发展使得电子产品的体积越来越小,促使了便携式电子产品如雨后春笋一般蓬勃发展,不断添加的新特征和能力,使......
在“强光一号”加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得......
ELESA＋GANTER的CLT．拥有不同组合形式的锁。每款锁各自对应不同组合形式的镀镍铜钥匙，标配为一把锁两把钥匙，钥匙可在180°的位置......
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