低温加热对碲镉汞表面组分的影响

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碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)是一种禁带宽度可调的三元系窄禁带半导体,选择适当Hg/Cd比的材料,可满意地制造出其响应波段从近红外延伸到远红外的各种Hg_(1-x)Cd_xTe红外探测器。由于汞具有容易挥发的特性,因而它给器件的制造带来了许多麻烦。近年来,人们对Hg_(1-x)Cd_xTe表面以及它与介质之间的界面发生了很大兴趣。人们已研 HgCdTe (Hg_ (1-x) Cd_xTe) is a ternary system narrow bandgap semiconductor with adjustable bandgap. Choosing an appropriate Hg / Cd ratio material can satisfactorily produce the response band extending from the near infrared To far-infrared various Hg_ (1-x) Cd_xTe infrared detectors. Mercury poses a lot of hassle to device manufacturing due to the volatile nature of mercury. In recent years, there has been great interest in the Hg_ (1-x) Cd_xTe surface and its interface with the medium. People have studied
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