手机用GaAsSPDT开关的全离子注入技术

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zaifasoftware

【摘要】

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对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的GaAs全离子注入技术进行了实验比较和讨论,认为76 mmGaAs圆片经光片注入Si离子后包封40 nm SiO2+60 nm SiN进行快速退火再进行B离子

【作者】

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钮利荣徐筱乐蒋幼泉杨端良

【机构】

：

南京电子器件研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

离子注入包封退火双层介质 SPDT开关手机砷化镓 ion implantation RTP with cap double dielectric lay

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对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的GaAs全离子注入技术进行了实验比较和讨论,认为76 mmGaAs圆片经光片注入Si离子后包封40 nm SiO2+60 nm SiN进行快速退火再进行B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良.

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